ITER中性粒子入射装置用DC1MV伝送系の開発

渡邊 和弘; 奥村 義和; 小野 要一*; 田中 政信*

平成13年電気学会全国大会講演論文集, P. 3081, 2001/03

国際熱核融合実験炉(ITER)用中性粒子入射(NBI)開発の一環として、NBI電源からイオン源まで直流1MVと200kV毎の中間電圧を電送するためのガス絶縁型直流1MV伝送系の開発を行っている。高圧導体及びそれらの支持と絶縁のためのアルミナ充填エポキシ製の多極ブッシングを装着した実機90%スケールの伝送系試験体を製作し、直流耐電圧試験を実施した。前回の報告では900kVまでの耐圧確認を報告したが、その後、高電圧導入器や伝送系チェンバーの各部毎のリーク電流を分離して測定し、高圧印加時のコロナ放電部を同定し電界緩和対策等を行った。これらの対策により、実機での試験電圧(定格の1.3倍)に相当する1170kVの耐圧を確認でき、ITER用NBI電源開発の最大の課題を達成した。